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标准号:GB/T 14142-2017
现行有效 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
标准组织:中国国家标准,中国国家标准 |
语种:中文 |
CCS分类:金属化学性能试验方法 |
ICS分类:金属材料试验 |
发布日期:2017-09-29 |
实施日期:2018-04-01 |
作废日期 :
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替代关系 :全部代替 |
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标准摘要 :本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2μm，缺陷密度的测试范围0～10000cm-2。 |
发布单位 : |
归口单位 :全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
起草单位 :南京国盛电子有研公司 、有研半导体材料有限公司 、浙江金瑞泓科技股份有限公司 |
起草人 :马林宝 、骆红 、杨帆 、刘小青 、陈赫 、张海英 |
出处 : |
备注 : |
